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一、HMDS 预处理系统的必要性：

在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺显得更为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后，经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水，其疏水基可很好地与光刻胶结合，起着偶联剂的作用。

二、产品特点：

1、设备外壳采用SUS304不锈钢材质制作，内胆为不锈钢SUS316L材料制成；
采用C型不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁，内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置；
箱门采用钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品生产情况。

2、箱门闭合松紧能调节，整体成型的硅橡胶门封圈，确保箱内保持高真空度。

3、采用PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,采用LCD液晶显示,触摸式按钮,简单易用,性能稳定。

4、智能触摸屏控制系统采用PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。

5、HMDS气体密闭式自动吸取添加设计，使真空箱密封性能*，确保HMDS气体无外漏顾虑。

6、整个内部系统采用优质SUS316L不锈钢材料制作，无发尘材料，适用百级光刻间净化环境。

三、产品型号及参数：

设备型号：EHMDS-110

控温范围：RT+10～250℃

温度分辨率：0.1℃

控温精度：±0.5℃

隔板数量：2块（标配）

真空度：<133Pa

真空泵：DM4（内置连接）

设备电源：AC220/50HZ

额定功率：3.5KW

内胆尺寸mm：450x450x550 （W*D*H）

外形尺寸mm：650x640x1010 （W*D*H）

四、HMDS系列预处理系统的原理：

HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS，降低了HMDS处理后的硅片接触角，降低了光刻胶的用量，提高光刻胶与硅片的黏附性。

五、HMDS系列预处理系统的一般工作流程：

首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为：打开真空泵抽真空，待腔内真空度达到某一高真空度后，开始充入氮气，充到某低真空度后，再次进行抽真空、充入氮气的过程，到达设定的充入氮气次数后，开始保持一段时间，使硅片充分受热，减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空，充入HMDS气体，在到达设定时间后，停止充入HMDS药液，进入保持阶段，使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后，再次开始抽真空。充入氮气，完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图：首先加热到100℃-200℃，去除硅片表面的水分，然后HMDS与表面的OH一反应，在硅片表面生成硅醚，消除氢键作，从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间阻止其进一步反应。

六、废气排放：

多余的HMDS蒸汽（废气）将由真空泵抽出，排放到废气收集管道，在无废气收集管道时需做专门处理。

选配件：

1、增加HMDS液体瓶

2、压力记录仪（带曲线）

3、温度记录仪（带曲线）